PBSS5330PASX
NXP Semiconductors
Deutsch
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 30 V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 320mV @ 300mA, 3A |
Transistor-Typ | PNP |
Supplier Device-Gehäuse | DFN2020D-3 |
Serie | - |
Leistung - max | 600 mW |
Verpackung / Gehäuse | 3-UDFN Exposed Pad |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 165MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 175 @ 1A, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 3 A |
TRANSISTOR PNP 30V 3A SOT1061
TRANS PNP 30V 3A SOT89
TRANS PNP 30V 3A DFN2020D-3
TRANS PNP 30V 3A SOT89
PBSS5330X/DG,115 NXP
NXP SOT1061
NXP SOT89
PBSS5330PA NXP
TRANS PNP 30V 3A 3HUSON
PBSS5330X - 30V, 3A PNP LOW VCES
NXP SOT1061
PBSS5330X NXP
TRANS PNP 30V 3A SOT89
TRANS PNP 30V 3A 3HUSON
PBSS5330X+135 NXP
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
2024/03/20
2024/09/10
2024/11/4
2024/10/8
PBSS5330PASXNXP Semiconductors |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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